產地類別 | 進口 |
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光彈調制器
美Hinds Instruments, Inc品牌是當今世界里知名的的(此外也是當今世界里*的家)光彈調試器(photoelastic modulators)制造商。Hinds Instruments品牌的PEM還就能夠有效操縱激粒子束的偏振的心態的提升,調試頻率為20~100kHz。(PEM)的的作用正如個“動態展示的波片”,還就能夠使快軸和慢軸兩者中間出現個期怎么算變遷規律的折射率率差,然而有效操縱穿透激粒子束的偏振做出期怎么算性的變遷規律。實際在于即,(photoelastic modulators)使用對線偏振光添必然的相位使傳輸光在圓偏振、圓錐體偏振、線偏振等的心態兩者中間井做出變遷規律,此外(PEM)還還就能夠使光在左旋、右旋兩種方式的心態兩者中間做出更換。對比圖聲光控開關調配器、電光調配器、lcd顯示器調配器的*事例還有: ? 越來越大通光內徑(15到30mm,標準規定),與此同時長期保持很高的調試器頻點? 超小認可角度來(賣場角)空間(+/- 20°)? 光的波長覆蓋住使用范圍大(170nm~10um,FIR~THZ)? 高損壞閾值法? 可精準度管控相位時間延遲 澳大利亞Hinds Instruments, Inc集團公司PEM電學和光電技術玻璃玻璃頭封口在有所不同的主件中。這樣子能夠zui小化光電技術玻璃玻璃模式單元長寬比的長寬比,不一樣也會使光電技術玻璃玻璃頭與磁感線或真空泵兼容(當這樣有需求的同時)。
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應用舉例:
在偏振方面調變中的適用價紹.pdf Hinds Instruments其主要可分為好幾個款型: Series I 一系列施用正方形光學薄膜元件,內見光波長包含紫外線、內見光和紅外至1或許2um。Series II系列的操作不對稱某些八角形的磁學掃描件,主波長覆蓋率屏蔽和紅外(到中紅外)頻譜位置。特別的機型能夠用于紅外光譜。 Hinds Instruments集團的光學元件反應頭采用有差異 的光學元件反應建筑材質,建筑材質的選取的重要考量于議器頻譜散射率的需求。表1列舉出了常見采用的建筑材質。TABLE 1 | ||
SPECTRAL REGION | SERIES | MATERIAL |
Vacuum UV, UV | I | Lithium Fluoride |
Vacuum UV to mid-IR | I,II | Calcium Fluoride |
Vacuum UV to near-IR | I,II | Fused Silica |
Mid-visible to mid-IR | II | Zinc Selenide |
Near- to mid-IR | II | Silicon |
較為于Series II八角形光纖激光切割機的器件,Series I四邊形的光學構件構件在是一樣的板材厚度的時候下,相位推遲了量更小。在紅外頻譜,這也是一款 弱點,所以在紅外光譜頻譜,還是比較是正空紅外光譜,這則變得要想一款 好大的優點。
八角形(Series II)光電技術開關元件在給定的板材的厚度下十分的合理率,為此在紅外頻譜有較多的主要優勢。使用的Series II實操低延遲時間量(如:深紅外光譜)我以為會有一系故障 。
可以選擇(技術參數和的價格容易為客人須得而改善,祥情打探昊量光電公司的工作師)
- ? 增透膜,Model ARC。防散射膜能夠用于其它光電器件幅度調制器上,窄資源帶寬和寬資源帶寬鍍一層薄薄的膜都都有機會得到。
- ? 請昊量光電公司對於頻譜區間和電子散射率條件
- ? 無約束儀頁面設置,Model NIO。這幾項主要用于偏轉散射途徑,從而除去了解調器約束儀
- ? 特定的頻帶寬度,Model SFO。標的解調頭和特定的頻帶寬度
- ? 異常光電器件頭/電學頭低壓電纜,Model SLHH
- ? 特別的調試頭有附件,Model SHE。光學材料頭可不可以可根據客服要提高特別的圖型
- ? 抽真空氛圍基本操作。PEM也可以于抽真空氛圍氛圍,淘寶手機端請問詢Hinds
- 交變電場兼容應用設置,Model MFC。光纖激光切割機的頭含有某些強磁鐵文件,用以強交變電場中
基本指標
Model | Optical Material | Nominal Frequency | Retardation Range | Useful Aperture1 | |
Quarter Wave | Half Wave | ||||
I/FS50 | Fused Silica | 50 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 16mm |
I/FS20 | Fused Silica | 20 KHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 22mm |
I/CF50 | Calcium Fluoride | 50 kHz | 130nm - 2μm | 130nm - 1μm | 16mm |
II/FS20A | Fused Silica | 20 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 56mm |
II/FS20B | Fused Silica | 20 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 56mm |
II/FS42A | Fused Silica | 42 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 27mm |
II/FS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 27mm |
II/FS47A | Fused Silica | 47 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 24mm |
II/FS47B | Fused Silica | 47 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 24mm |
II/FS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 2.5μm | 400nm - 2.5μm | 13mm |
II/IS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 3.5μm | 800nm - 2.5μm | 27mm |
II/IS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 3.5μm | 400nm - 1.8μm | 27mm |
II/CF57 | Calcium Fluoride | 57 kHz | 2μm - 8.5μm | 1μm - 5.5μm | 23mm |
II/ZS37 | Zinc Selenide | 37 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 9μm | 19mm |
II/ZS50 | Zinc Selenide | 50 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 10μm | 14mm |
II/SI40 | Silicon | 40 kHz | FIR - THz | FIR - THz | 36mm |
II/SI50 | Silicon | 50 KHz | FIR - THz | FIR - THz | 29mm |
澳大利亞Hinds Instruments, Inc公司的關聯論文資料請決定性://www.auniontech。。com/n/document/v_Paper_of_Hinds.html
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