太陽能電池光譜成像及特性分析系統

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太陽能電池專業光譜成像及特性分析系統

太陽升起穴隊穴能充電動力電板組充電都是種經過光電效用或光化學上反響一直把光能轉化率為動能裝置設備。是會因為太陽升起穴隊穴能都是種清潔衛生能源資源，以至于光伏系統系統的科技近來來最受注重。光伏系統系統相關的原材料的改換學習效果隨著時間的推移的科技的未來發展方向同樣有了有效的提生。舉例有一天2010年島國的專業家Miyasaka*宣傳報道鈣鈦礦太陽升起穴隊穴能充電動力電板組充電開始，在將近的幾3年，鈣鈦礦太陽升起穴隊穴能充電動力電板組充電的光電改換學習效果從3.8%上升的到22.7%。即使鈣鈦礦充電動力電板組充電持有日益突出優缺點，然而是會因為相關的原材料的欠均質一性和不可高收益價大人數產生限止了鈣鈦礦充電動力電板組充電的未來發展方向。方便解決處理等等的問題，科學調查的人員所需高機械能力和的專業的測驗軟件科學調查相關的原材料機械能力的個人空間布局。

  為處理一些事情，加拿大的Phonton 子公司和國內光電燃料闡述和不斷發展闡述所干太陽升起能鋰電闡述共同參與開發了高光譜儀三維影像機器的機（IMA™）。依據*的體布拉格光柵濾波片工藝，分為變革的二維三維影像工藝，與于長規的熒光三維影像機器的機，這些是這款連續性可全視眼三維影像的機器的機，可高效拿到鈣鈦礦鋰電的熒光三維影像和電致帶光三維影像，用做闡述食品的問題、獨立性先決條件和光電性的。

 

 

與傳統性的共焦聚顯微激光散斑系統較之，高光譜圖激光散斑系統擁用下優缺點：

1） 單次整視場成像。與常規的共聚焦顯微鏡需要逐點掃描或逐行推掃所不同，該高光譜成像系統允許在顯微鏡下獲取整個視場不同波長的像。使用百萬像素相機，通過濾波后圖像的采集可提供樣品表面數百萬個點上的光譜信息。這種成像方式將打打減小圖像采集時間，與傳統成像方式比較時間將減少2-3個數量級。例如，采集150´150μm²光譜信息，使用高光譜成像設備只需要大概8分鐘，但是使用常規共聚焦設備需要幾百個小時才能完成。

2） 在PL成像實驗中該系統的激發光源在視野中的強度是均勻分布的。在傳統的共聚焦設備中，激發光源是聚焦在一個點上（~1μm²），這將導致載流子向沒有激光照射的區域遷移造成載流子復合，使的PL信號明顯降低，需要將激發光的功率提高到 1000個太陽的光照這與光伏材料的工作環境嚴重不符，并對結果的提取與解釋帶來諸多影響。由于高光譜成像設備的光源是均勻的照射到樣品上的，因此避免了上述情況，并且光源功率可從1-500個太陽的光照可調。

3） 可得到光譜圖圖分析抗彎強度的參考值值。PL（photoluminescence）和EL（Electroluminescence）涵蓋了產品或電子器件的或多或少企業信息，所以老式熒光技術工藝定性分析出示的數劇院校也是arbitrary units， 這并不只是一些參考值的各值，這將大大大大約束了對光譜圖圖分析結論的深度1搜尋。要想解決該故障，IRDEP和Photon 科研了參考值效正土辦法，使該高光譜圖圖分析裝備還可以判定在固定不動動能的激發起光下，印刷品每一點火箭發射電子束的參考值各值。實現這效正，研究方案的人員可進一次探求普朗克基本定律，和日能微型蓄電池的內部量子能力（EQE）合在給定直流電壓下電致發亮的之間關聯。各類Voc和達到飽和狀態電壓電流等。

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如圖所示2 屏幕上顯示了CIS圖紙的光致夜光畫面，這之中便用的激夜光主波長為532nm。整視線中影像就可不能夠很快檢測圖紙余地上不不勻性，利用該技術水平研究分析人工就可不能夠監視不相同抗性在余地上的勻稱。圖1，為圖2上選中范圍的光譜圖圖問題。除此以外，利用光譜圖圖的一定量校準還就可不能夠能夠得到生產設備的光電公司特征參數（列如 ：EQE， Voc等）

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當我們重要利于高光譜儀分析儀圖機械設備探索了CIGS日能電瓶的光致亮光光譜儀分析儀圖三維成相（532nm，繳光剛度為580個日影響）和電致亮光光譜儀分析儀圖三維成相（實用源表，Vapp = 0.95 V.）。圖1，展現了CIGS的PL和EL光譜儀分析儀圖，并確認一定量調節，配合理論上來普朗克法則區分刷出了準費米能級裂開Δμeff，并利于日能電瓶和LEDS主動間的主動相互關系，確認EL圖譜能否扔到出EQE，等新信息。

1. • 在固定不動精力的抑制光下，樣品英文不同點使用電子束的參考值參考值，這樣功效還可能是研究相關人員還可能從PL圖案中可以獲取太陽什么能蓄電池的準費米能級分化圖Δμeff。準費米工作能力含有重要性必要性，會因為它與手機容量電池箱的線電壓和達到飽和狀態電流量關于。如圖甲所示1，為GaAs的準費米能級瓦解Δμeff/q 的二維圖，真是使用GaAs太陽什么能手機容量電池箱的定量分析光致會亮圖譜只能根據基本特征普朗克定理求算而來。測定的準費米能級瓦解為Δμeff= 1.1676±0.010eV，在電玩附過商場（圖1中心的平行藍線）和手機容量電池箱的外部鏈接分界附過商場有而且 增漲。可是與以往的GaAs醫學文獻中的科研可是*。

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近余年來，以CH3NH3PbI3為意味的更具鈣鈦礦晶型的充分廢金屬鹵化物在磁學技術相關涂料業務區域的軟件招攬了豐富的理論實驗分析關注。作為一個一些興盛的半導體芯片磁學技術相關涂料變為相關涂料，它更具高消光數值(105 cm-1)、長載流子壽命短(~μs)、低疵點態含量、低激子束搏能與此同時可低的成本萃取劑制得等更多益處。立于此種相關涂料的聚酯薄膜大日光蓄充電電芯(鈣鈦礦大日光蓄充電電芯) 的磁學技術相關涂料變為的成功率己經可達到22%，可達到了多晶硅大日光蓄充電電芯，更具好點的軟件發展。與此同時，該相關涂料在磁學技術相關涂料檢測、會亮、震撼X射線檢測及非波形磁學等層面均浮顯現出優秀的性參數，變成磁學技術相關涂料機械、相關涂料(智能電子元件)機械和催化等重疊業務區域的理論實驗分析熱點問題。不過對於鈣鈦礦蓄充電電芯的更多辦公機能還并非很看清楚，往往利用率高光譜圖儀分析脈沖光散斑裝備理論實驗分析了CH3NH3PbI3大日光蓄充電電芯的重要性參數，確定了地方和光譜圖儀分析甄別的EL和PL脈沖光散斑。EL采用了源表施用的電壓降領域是1.05至1.2V，PL運用的是532nm的脈沖光（約30個大地球時散發）。可以通過一定量復位，從EL和PL光譜圖儀分析同時擁有了準費米能級裂變和智能電子互傳的成功率，有以下幾點圖所顯示。

1. •  

圖2 為鈣鈦礦素材的散發出率三維成像

車輛因素： 

AL   RANGE	VIS - SWIR Model   400 - 1620 nm
	VIS   400-1000 nm	SWIR   900-1620 nm
SPECTRAL RESOLUTION	< 2.5 nm	< 4 nm
CAMERA	CCD, EMCCD, sCMOS	ZephIR 1.7
EXCITATION WAVELENGTHS   (up to 3 lasers)	405, 447, 532, 561, 660, 730, 785 or 808 nm
MICROSCOPE	Upright or Inverted; Scientific Grade
SPATIAL RESOLUTION	Sub-micron   (limited by the microscope objective N.A.)
MAXIMUM SAMPLE SIZE	10 cm x 10 cm
X, Y TRAVEL RANGE	76 mm x 52 mm
Z-STAGE RESOLUTION	100 nm
ILLUMINATION   Illumination option	Diascopic, Episcopic, LED, HG,   Epifluorescence module, Darkfield module
WAVELENGTH ABSOLUTE ACCURACY	0.25 nm
VIDEO MODE	Megapixel camera for sample visualization
DATA PROCESSING	Spatial filtering, statistical tools, spectrum extraction, data normalization,   spectral calibration, overlay, central position map, etc.
HYPERSPECTRAL DATA FORMAT	HDF5, FITS
SINGLE IMAGE DATA FORMAT	HDF5, CSV, JPG, PNG, TIFF