商品形號：
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磁光克爾(MOKE)效應測量系統
當一枝線偏振光線被帶磁媒質折射后，折射光的偏振面相對應于入射光的偏振面有個小的方面偏轉（克爾自動高速旋轉角處），此表現被被視為磁光克爾邊際反應。忽然此邊際反應被代替的原材料磁特點的實驗。磁光克爾邊際反應在校正方法軟件程序也是套透徹在校正方法克爾自動高速旋轉角處的機械機器。磁光克爾邊際反應在校正方法軟件程序是對極向克爾邊際反應和水平垂直克爾邊際反應克爾偏轉角處透徹在校正方法的機械機器，致使該機器設備成探索永久磁鐵塑料透氣膜磁因素的的測量用具。諸多的app于永久磁鐵nm水平、永久磁鐵塑料透氣膜等磁學業務領域。
磁光克爾邊際效應自動測量平臺以激光束有所作為燈源，考慮到檢樣磁光克爾相應的磁體電磁波首要來源于亮斑陽光照射的空間內，往往磁光克爾相應在側量方法控制系統具備著更好的局域性，能否實接下來廊坊可耐電器有限公司空間內內村料磁性質的的研究。另外以偏振離子束束充當“探頭”，往往對檢樣不用會導致其他磨損，完成對檢樣的無損格式在側量方法，這在必須做長次在側量方法的檢樣毫無疑問非總有利的。
磁光克爾不確定性側量設計包括*的快速度，對克爾旋轉視頻角的遙測的精密度能達到到±0.001度。這絲毫使該機在剩磁透明膜磁基本特征的探析中更具重要性的作用。用鐵芯磁感應特色食物生加帶交變電場，都可以帶來了將高達25KOe的自加交變電場。
磁光克爾(MOKE)效應測量系統
磁光克爾效應測量系統、磁性測量系統、MOKE system、微米區域克爾磁光效應測量系統、磁滯回線測量裝置
佛山昊量光學設備有限制我司的磁光克爾衡量系統性重點可可分成以內3類：
① 極向估測磁光克爾負效應估測設施設備（MOKE磁滯回線估測程序）
代替軟件是BH-810系列表。BH-810CPC25WF12磁光克爾效果(MOKE)校正機 是這其中的幾款，最主要的是對12厘米的平行磁收錄物料磁性能特點的校正。就可以小于的偵測系統具體分析每個偵測系統點的磁滯回線，該軟件應運408nm的混合物機光器，光點外徑為1mm，另外加上電磁波可更是高達25KOe。
② 向在預估方法磁光克爾作用在預估方法環保設備（MOKE磁滯回線在預估方法系統）
代表會的產品BH-618系類。BH-618SK-CA12也是款主動檢測晶圓磁特征參數和各向男人的磁光克爾檢測系統軟件。能否對12寸的晶圓來進行幾厘米400個各不相同點的磁滯回線的檢測，與此同時偵測最終以激光散斑的主要形式屏幕上顯示。
③ 微領域磁光克爾相互作用預估設計（m-kerr system）（極向+垂直，MOKE磁滯回線在線測量控制系統）
代表會設備為BH-920款型。與前這兩種服務優于， BH-920類別賦予更小的激光機器黑斑，不錯對毫米區域劃分內的磁優點對其進行探析。BH-P920-NH是可開始極向的微部分磁光克爾邊際效應精確測量機械，該機械還具有*的敏感度能夠達到到0.001°。與BH-P920-NH比起BH-PI920不斷具同的偵測精確度度且兼顧去極向和橫向精確測量。
磁光克爾(MOKE)效應測量系統
u 核心結構特征
- 高耐熱性
- 費用低
- 高精準度（0.001°）
- 高增強性
- 高另加電磁波（25KOe）
u 主要使用
吸引力奈米技能、吸引力保護膜，吸引力用料等磁學這個領域
u 測定工程項目
磁滯回線 | X軸：上加電磁波構造 H |
Y軸：克爾自動旋轉角 qk | |
經由磁滯回線可刷出的性能指標 | 矯頑力 Hc |
各向女性朋友場 Hk | |
內稟矯頑力 Hn | |
過剩磁場難度難度 Hs | |
所剩磁化抗拉強度 qr | |
過飽和磁化密度 qs |
u 食品大部分參數指標：
服務機型 運作 | BH-PI920類別 | BH-P920-NH | BH-PI920 | BH-810CPC25WF12 | BH-618SK-CA12 |
好產品優勢 | 微空間區域檢測的系統的可符合橫縱/極向檢測的 | 極向微區克爾預估裝制，都具有高流暢度 | 微領域量測體統可充分考慮豎向/極向量測，兼備較高的靈敏性度 | 極向磁光克爾效果估測，對PMR聚酰亞胺膜晶圓的磁的特點自動測量 | 縱向設計磁光克爾估測機系統，可去多一點磁滯回線的估測 |
激光行業泛光燈 | 半導體技術離子束器（405nm） | 半導體設備激光機器器（408nm） | 半導體技術激光器器（405nm） | ||
亮斑內徑 | 橫縱在線測量 約 5mm [1/e2] | 1-2mm | 2-3mm | 1mm | 1´2mm |
極向衡量 約 2mm [1/e2] | |||||
檢測靈活度 | ± 0.005° | ±0.001° | ±0.001° | ± 0.005° | ± 0.005° |
測探空間 | ± 1° | ||||
再加上交變電場承載力 | 極向磁體 >±10kOe | >±10kOe | 極向磁感線 >±1.5T | >±25kOe | >±0.2T |
面內交變電場 >±10kOe | 面內電磁波 >±1T | ||||
可測樣本的大小 | 5´5´1tmm~10´10´1tmm | 5´5~10´10mm t：0.5~1mm | 12inch wafer | 12inch wafer |
上海市徐匯區虹梅路2007號6號樓3樓
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